تستخدم تقنيات اختبار التيار IDDQ لكشف الأعطال الفيزيائية التي تحدث أثناء عمليات التصنيع في دارات ال CMOS المدمجة مثل وجود دارة قصر بين نقطتين معدنيتين Bridging أو وجود بعض العيوب في طبقة الاوكسيد لاحد الترانزستورات في الدارة سواء كان قصر في طبقة الاوكسيد او فتح في طبقة الاوكسيد هذه العيوب لا يمكن كشفها بتقنيات الاختبار المنطقية التقليدية. و تيار ال IDDQ هو التيار الساكن المتدفق من منبع التغذية VDD في دارات ال CMOS.
IDDQ testing techniques are used to detect the physical defects
such gate oxide shorts,floating gates and bridging faults, and which
happen for the presence of manufacturing faults during the
manufacturing processes of CMOS integrated circuits, which
cannot be detected by classical logical testing.
Artificial intelligence review:
Research summary
يتناول البحث تصميم دارة كاشف تيار مدمجة (BICS) لمراقبة تيار IDDQ في دارات CMOS المدمجة. تُستخدم تقنيات اختبار IDDQ للكشف عن العيوب الفيزيائية التي تحدث أثناء عمليات التصنيع مثل قصر طبقة الأوكسيد أو الجسور بين النقاط المعدنية. يتم قياس التيار الساكن المتدفق من منبع التغذية VDD إلى الأرضي GND، حيث تكون قيمة التيار صغيرة في حالة عدم وجود عيوب، وتزداد بشكل ملحوظ في حالة وجود عيوب. تم تصميم دارة BICS المقترحة باستخدام دارات مرآة التيار، مما يسمح لها بالعمل بجهود منخفضة (4.5V - 5V) دون التأثير على أداء الدارة المختبرة. تتميز الدارة بالمرونة في اختيار عتبة القياس للتيار، وتم اختبارها وتقييمها باستخدام محاكاة PSPICE. أظهرت النتائج أن الدارة قادرة على الكشف عن التيار IDDQ بدقة عالية، مع إمكانية تعديل أبعاد الترانزستورات لتحديد عتبة التيار المطلوبة.
Critical review
دراسة نقدية: يعتبر البحث مساهمة هامة في مجال اختبار دارات CMOS، حيث يقدم حلاً فعالاً للكشف عن العيوب الفيزيائية باستخدام دارة BICS. ومع ذلك، يمكن توجيه بعض الملاحظات النقدية لتحسين العمل. أولاً، يعتمد البحث بشكل كبير على المحاكاة باستخدام PSPICE، وكان من الأفضل تضمين تجارب عملية لدعم النتائج النظرية. ثانياً، لم يتم مناقشة تأثير العوامل البيئية مثل درجة الحرارة والتداخل الكهرومغناطيسي على أداء الدارة المقترحة. ثالثاً، يمكن تحسين البحث بإضافة مقارنة مع تقنيات أخرى للكشف عن العيوب لتوضيح المزايا والعيوب النسبية لدارة BICS. على الرغم من هذه الملاحظات، فإن البحث يقدم إطاراً قوياً لتطوير تقنيات اختبار أكثر دقة وفعالية لدارات CMOS.
Questions related to the research
-
ما هو الهدف الرئيسي من استخدام دارة BICS في دارات CMOS؟
الهدف الرئيسي هو الكشف عن العيوب الفيزيائية التي تحدث أثناء عمليات التصنيع والتي لا يمكن اكتشافها باستخدام تقنيات الاختبار المنطقية التقليدية، وذلك من خلال قياس التيار الساكن IDDQ.
-
ما هي المزايا الرئيسية لدارة BICS المقترحة في البحث؟
تتميز دارة BICS المقترحة بأنها تعمل بجهود منخفضة (4.5V - 5V)، ولا تؤثر على أداء وسرعة الدارة المختبرة، كما أنها مرنة في اختيار عتبة القياس للتيار IDDQ.
-
كيف تم اختبار وتقييم دارة BICS المقترحة في البحث؟
تم اختبار وتقييم دارة BICS المقترحة باستخدام محاكاة PSPICE، حيث تم تغيير أبعاد الترانزستورات ودراسة تأثيرها على عتبة كشف التيار IDDQ.
-
ما هي العيوب التي يمكن أن تواجه دارة BICS المقترحة وكيف يمكن تحسينها؟
من العيوب الممكنة الاعتماد الكبير على المحاكاة وعدم تضمين تجارب عملية، وعدم مناقشة تأثير العوامل البيئية. يمكن تحسينها بإجراء تجارب عملية ومناقشة تأثير العوامل البيئية وإضافة مقارنة مع تقنيات أخرى للكشف عن العيوب.
References used
BRKAR S., 1999- Design challenges of technology scaling. IEEE Micro 19 (4) p 23–29
JHA N. K. and GUPTA S., 2003 - Testing of Digital Systems. Cambridge University Press
MICZO A., 2003- Digital Logic Testing and Simulation. Second Edition John Wiley & Sons
This research aims to reduce the possible consumption in CMOS digital circuit type and to
develop new methods in this area and get the results of a new process applicable in the
field of the development of integrated electronic devices of high inte
Due to scientific and technical advances in industrial electronics, SRMs have become one of the most attractive motors in recent decades.
The development of Information Systems (I.S) is of great importance for
researchers and industrial users. Different methods for (I.S) design have been
proposed until now. Some of them put emphasis on the statical aspect, and
others on the dynamica
This work presents the details of the construction of the temperature
control system in the center. We used the Atmega8 microcontroller
which has high performance speed and suitable memory.
High Voltage Direct Current systems have been used for
transporting electrical energy for very long distances, at high
voltages (100- 1000 kv). On utilize thyristorized or transistorized
power converters, one converter is working as rectifier at s