Subscribe to the gold package and get unlimited access to Shamra Academy
Register a new userStudying effect of doping Mn on the structural properties of tin oxide thin films deposited by spray pyrolysis
دراسة الخصائص البنيوية لأفلام رقيقة من أكسيد القصدير SnO2 المشابة بالمنغنيز و المحضرة بطريقة البخ الحراري
1195
0 74
0
(
0
)
Authors
طلال خلاص( باحث )
Created by
Shamra Editor
Ask ChatGPT about the research
رُسبت أفلام رقيقة ناقلة شفافة (TCOs) من أكسيد القصدير المُشاب بالمنغنيز عند درجة حرارة ركيزة 450° C بطريقة البخ الحراري. تمت مُناقشة الخصائص البنيوية للأفلام بتابعية سوية الإشابة لممنغنيز (0, 1 , 3 , 5 ,7 wt%) بينما جميع متغيرات الترسيب مثل: درجة حرارة الركيزة، معدل البخ، ضغط الغاز الحامل، المسافة بين فوهة البخ و الركيزة بقيت ثابتة.
Mn doped tin oxide transparent conducting thin films were deposited at a substrate temperature of 450°C by spray pyrolysis method. Structural properties of the films were investigated as a function of various Mn-doping levels (0, 1, 3, 5, 7 wt%) while all other deposition parameters such as substrate temperature, spray rate, carrier gas pressure and distance between spray nozzle to substrate were kept constant.
Artificial intelligence review:
Research summary
تتناول هذه الدراسة الخصائص البنيوية لأفلام رقيقة من أكسيد القصدير المشاب بالمنغنيز والمحضرة بطريقة البخ الحراري. تم ترسيب الأفلام عند درجة حرارة 450 درجة مئوية مع الحفاظ على ثبات باقي متغيرات الترسيب. تم دراسة تأثير نسب مختلفة من إشابة المنغنيز (0، 1، 3، 5، 7 wt%) على الخصائص البنيوية للأفلام باستخدام حيود الأشعة السينية (XRD) والمجهر الإلكتروني الماسح (SEM). أظهرت النتائج أن الأفلام المترسبة تتمتع ببنية متعددة التبلور ضمن الطور الرباعي مع توجهات مفضلة على طول المستويات البلورية (101)، (211)، (301)، (200) و(110). أظهرت الأفلام المشابة بنسبة 1wt% أعلى قيم للشدة، بينما كانت القيم الأدنى عند نسبة 5wt%. تم حساب ثوابت الشبكة، حجم التبلور، وكثافة الانخلاعات، حيث أظهرت الأفلام المشابة بنسبة 1wt% خصائص بنيوية أقرب إلى الفلم النقي. تم دراسة التغيرات في شكل السطح باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح، وأظهرت النتائج أن شكل الحبيبات يتغير مع زيادة نسبة الإشابة.
Critical review
دراسة نقدية: تقدم هذه الدراسة فهماً جيداً لتأثير إشابة المنغنيز على الخصائص البنيوية لأفلام أكسيد القصدير الرقيقة. ومع ذلك، كان من الممكن أن تكون الدراسة أكثر شمولاً إذا تم تضمين تحليل للخصائص الكهربائية والبصرية للأفلام، حيث أن هذه الخصائص تلعب دوراً مهماً في التطبيقات العملية. كما أن استخدام تقنيات تحليل إضافية مثل التحليل الطيفي للأشعة فوق البنفسجية والمرئية (UV-Vis) أو التحليل الطيفي للإلكترونات (EDS) كان يمكن أن يضيف قيمة إضافية للبحث. بالإضافة إلى ذلك، كان من الممكن تقديم تفسير أعمق لتأثيرات الإشابة على البنية البلورية والتوجهات المفضلة.
Questions related to the research
-
ما هي التقنية المستخدمة لتحضير أفلام أكسيد القصدير المشاب بالمنغنيز؟
تم استخدام تقنية البخ الحراري لتحضير أفلام أكسيد القصدير المشاب بالمنغنيز.
-
ما هي درجة الحرارة التي تم عندها ترسيب الأفلام؟
تم ترسيب الأفلام عند درجة حرارة 450 درجة مئوية.
-
ما هي النسبة التي أظهرت أعلى قيم للشدة في الأفلام المشابة؟
أظهرت الأفلام المشابة بنسبة 1wt% أعلى قيم للشدة.
-
ما هي الأدوات المستخدمة لدراسة الخصائص البنيوية للأفلام؟
تم استخدام حيود الأشعة السينية (XRD) والمجهر الإلكتروني الماسح (SEM) لدراسة الخصائص البنيوية للأفلام.
References used
ROY S.S.; PODDER J., 2010 - Synthesis And Optical Characterization Of Pure And Cu Doped SnO2 Thin Films Deposited By Spray Pyrolysis, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 12(7), 1479-1484
TURGUT G.; KESKENLER E. F.; AYDIN S.; SONMEZ E.; DOGAN S.; DUZGUN B.; ERTUGRUL M., 2013 - Effect Of Nb Doping On Structural, Electrical And Optical Properties Of Spray Deposited SnO2 Thin Films, Super lattices and Microstructures, 56, 107-116
GANDHI T.; BABU R.; RAMAMURTHI K., 2013 - Structural, Morphological, Electrical And Optical Studies Of Cr Doped SnO2 Thin Films Deposited By The Spray Pyrolysis Technique, Materials Science in Semiconductor Processing, 16, 427-479
rate research
Read More
In this paper we present the structural, optical and electrical characteristics of ZnO thin films grown for different parameters by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass and silicon substrates at low temperatures. We
used diethyl-zinc (DEZn) and deionized water as zinc and an oxygen sources, respectively. Measurements of surface morphology, photoluminescence at room temperature (RT PL) and Hall Effect were made for ZnO layers. The films obtained at 130°C show the highest carrier concentration (1.1×1019 cm-3) and the lowest resistivity (2.84×10-2 Wcm). The films exhibit mobility up to 19.98 cm2/Vs that we associate to the technological process used.
In this work, multi-layer thin films (insulator - metal - insulator) were prepared on glass substrates. Where we deposited the following order of (zinc oxide - silver - zinc oxide) by magnetron sputtering of zinc oxide and vacuum thermal evaporation technique for silver.
The work could be considered as a continuous study of (XRL) X – ray luminescence - spectra of pure, and mixed Zno different AL ions, In these films and other crystals powders prepared by new developed te chnology.
We studied the pure and ZnO thin
films. mixed with an AL - ions in the fielol (200-700)nm ,at different weig hrs (5,10,15,20)wt% prepared by thermal evaporation. This way is cheep and a simple technology.
Our study showed different spectra peaks at the wavelengths(335,410,521)nm anol (t=20ns)produced, at different peaks intensities of the prepared thin films, compared with those jure and mixeol ZnO ones, spray pyrolysis.
Thin films technology, have many wide scientific application, in the medical field, Lazer technology, Luminscence counters, and at the solar cells fields
CdTe Thin films were deposited on silicon substrates by thermal
evaporation method. The geometric thickness was calculated using
interferometric method based on reflectance curve recorded with the
spectrophotometer. The Reflection of High-Energy E
lectron Diffraction
(RHEED) patterns and XRD analysis reveals that the structure of the films are
polycrystalline with preferential orientation (111). The structure constant (a),
crystallite size (D), dislocation density (δ) and strain (ε) were calculated, and it
is observed that the crystallite size increases but micro-strain and dislocation
density decreases with increases in thin film thickness. The composition of the
samples was determined by Energy Dispersive X-ray Analysis (EDX) and it is
found that the wt.% of Cd increases and the wt.% of Te decreases with the
increases of film thickness due to the re-evaporation of Te.
In this paper we present the preparation of PbS nanocrystalline thin films
using Chemical Bath Deposition (CBD) technique. We have performed this
work in order to study the photoconductivity of PbS semi-conductor thin films.
The details of the pre
paration method are described. Thickness of deposited
films has been determined using mechanical and optical methods. From the
optical absorption measurements we have determined the band gap values.
Using the first approximation parabolic bands model and the obtained values
of band gaps, we have determined the size of PbS nanocrystallites. Also, we
have investigated the electrical and photoelectrical behaviors of the PbS films.
Our study shows that the size of PbS thin films nanocrystallites affects the
photoconductive properties of the material. Furthermore, investigations show
that there are two different sizes of grains located in two different layers, the
first one, with grain’s size of about 25nm, concerns the part of PbS deposited
directly on the glass substrate and the second layer, with grain’s size of about
70nm, concerns the PbS deposited on the first layer.
Log in to be able to interact and post comments
comments
Fetching comments
Sign in to be able to follow your search criteria
