قمنا بترسيب أغشية رقيقة من الكادميوم تيلورايد (CdTe) على ركازات من الـسليكون بثخانـات
مختلفة بطريقة التبخير الفيزيائي الحراري (evaporation thermal) . الثخانات الهندسـية للأغـشية
جرى حسابها من طيف الانعكاس للأغشية، و درست الخواص البنيوية و التوجه البلوري لهـذه الأغـشية
بتحليل انعراج الأشعة السينية (XRD) و حددت وسطاء البنية مثل ثابت الشبيكة البلوريـة (a) و كثافـة
الانخلاعات (δ) و عامل الإجهاد (ε) ، و أبعاد الحبيبات (D) ، و لوحظ ازدياد الأبعاد الحبيبية و نقـصان فـي
الإجهاد المكروي و كثافة الانخلاعات بازدياد ثخانة الغشاء المرسـب. كمـا اسـتخدمت تقنيـة انعـراج
الالكترونات عالية الطاقة المنعكسة (RHEED) في الدراسة البنيوية و تبين أن الأغشية ذات بنية مكعبة
مركزية الوجوه، و حدد التوجه البلوري المفضل للغشاء و الحبيبات المتشكلة عليه فكـان الوجـه (111)
موازياً لسطح الركازة، كما حددت نسبة الكادميوم و التيلورايد في الأغشية المرسـبة باسـتخدام تقنيـة
الـ(EDX) و وجد أن النسبة المئوية الذرية للكادميوم قد ازدادت فـي حـين النـسبة المئويـة الذريـة
للتيلورايد قد نقصت، و ذلك بسبب إعادة تبخر ذرات التيلورايد المترسبة.
CdTe Thin films were deposited on silicon substrates by thermal
evaporation method. The geometric thickness was calculated using
interferometric method based on reflectance curve recorded with the
spectrophotometer. The Reflection of High-Energy Electron Diffraction
(RHEED) patterns and XRD analysis reveals that the structure of the films are
polycrystalline with preferential orientation (111). The structure constant (a),
crystallite size (D), dislocation density (δ) and strain (ε) were calculated, and it
is observed that the crystallite size increases but micro-strain and dislocation
density decreases with increases in thin film thickness. The composition of the
samples was determined by Energy Dispersive X-ray Analysis (EDX) and it is
found that the wt.% of Cd increases and the wt.% of Te decreases with the
increases of film thickness due to the re-evaporation of Te.
Artificial intelligence review:
Research summary
تتناول هذه الورقة البحثية دراسة الخصائص البصرية والتركيبية لأغشية رقيقة من كادميوم تيلورايد (CdTe) تم ترسيبها على ركائز السيليكون باستخدام طريقة التبخير الحراري. تم حساب السماكة الهندسية للأغشية باستخدام طريقة التداخل الضوئي بناءً على منحنى الانعكاس المسجل بواسطة المطياف الضوئي. أظهرت أنماط انعكاس حيود الإلكترونات عالية الطاقة (RHEED) وتحليل حيود الأشعة السينية (XRD) أن هيكل الأغشية متعدد البلورات مع تفضيل اتجاه (111). تم حساب الثوابت التركيبية (a)، وحجم البلورات (D)، وكثافة العيوب (δ)، والإجهاد (ε)، ولوحظ أن حجم البلورات يزداد بينما يقل الإجهاد الميكروي وكثافة العيوب مع زيادة سماكة الأغشية. تم تحديد تركيبة العينات باستخدام تحليل الأشعة السينية المشتتة للطاقة (EDX) ووجد أن نسبة الوزن للعنصر الكادميوم تزداد بينما تقل نسبة الوزن للعنصر التيلوريوم مع زيادة سماكة الأغشية بسبب إعادة تبخير التيلوريوم.
Critical review
دراسة نقدية: تقدم هذه الورقة البحثية معلومات قيمة حول الخصائص البصرية والتركيبية لأغشية CdTe الرقيقة، ولكن هناك بعض النقاط التي يمكن تحسينها. أولاً، كان من الأفضل توضيح المزيد من التفاصيل حول الظروف التجريبية مثل درجة الحرارة والضغط أثناء عملية التبخير الحراري. ثانياً، لم يتم مناقشة التطبيقات العملية المحتملة لهذه الأغشية بشكل كافٍ، مما يجعل من الصعب تقييم الأهمية العملية لهذه النتائج. وأخيراً، كان من الممكن تضمين مقارنات مع دراسات سابقة بشكل أكثر تفصيلاً لتوضيح مدى تقدم هذه الدراسة مقارنة بالأبحاث السابقة في هذا المجال.
Questions related to the research
-
ما هي الطريقة المستخدمة لترسيب أغشية CdTe الرقيقة على ركائز السيليكون؟
تم استخدام طريقة التبخير الحراري لترسيب أغشية CdTe الرقيقة على ركائز السيليكون.
-
ما هي الخصائص التركيبية التي تم حسابها في الدراسة؟
تم حساب الثوابت التركيبية (a)، وحجم البلورات (D)، وكثافة العيوب (δ)، والإجهاد (ε).
-
كيف تتغير نسبة الوزن للعناصر Cd وTe مع زيادة سماكة الأغشية؟
تزداد نسبة الوزن للعنصر الكادميوم (Cd) بينما تقل نسبة الوزن للعنصر التيلوريوم (Te) مع زيادة سماكة الأغشية بسبب إعادة تبخير التيلوريوم.
-
ما هي الأدوات التحليلية المستخدمة لتحديد التركيبة الكيميائية للأغشية؟
تم استخدام تحليل الأشعة السينية المشتتة للطاقة (EDX) لتحديد التركيبة الكيميائية للأغشية.
References used
S. Lalitha, S. Zh. Karazhanov, P. Ravindran, S. Senthilarasu and all…., (2007). Electronic structure, structural and optical properties of thermally evaporated CdTe thin films. Physica B, V. 387, pp. 227-238
I. ASAAD. (2009). Shot Noise in Macroscopic CdTe Resistors: Experemental Evidence and Analytical Study, Eur. Phys. J. Appl. Phys, V. 45, pp. 10303p1-10303p3
E. R. Shaaban, N. Afify, El-Taher. (2009). Effect of film thickness on microstructure parameters and optical constants of CdTe thin films, Journal of Alloys and Compounds, V. 482, pp. 400-404
CdTe Thin films were deposited on glass substrates by thermal evaporation
method. The geometric thickness was calculated using interferometric method
based on reflectance curve recorded with the spectrophotometer. The XRD
analysis and optical char
AFM has been used to get microscopic information of the surface structure
and to plot topographies representing the surface relief. AFM technique can be
used to visualize the surface relief, specify the growth of thin films, and
determine Height parameters.
In this paper we present the structural, optical and electrical characteristics of ZnO thin films grown for different parameters by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass and silicon substrates at low temperatures. We
Mn doped tin oxide transparent conducting thin films were deposited at a
substrate temperature of 450°C by spray pyrolysis method. Structural
properties of the films were investigated as a function of various Mn-doping
levels (0, 1, 3, 5, 7 wt%) w
There has been much interest in photonic and spectroscopic devices that are
useful for controlling transmission and reflection coefficients such as multilayer
thin films, photonic crystals, and various Bragg structures in the form of
molds or multilayer thin films.