Do you want to publish a course? Click here

Growth And Characterization Of Pbs Nanocrystalline Thin Films Deposited On Glass Substrates By Chemical Bath Deposition

ترسيب و توصيف أغشية رقيقة ذات حبيبات نانوية من كبريت الرصاص موضعة على ركائز من الزجاج بطريقة الحوض الكيميائي

1842   0   21   0 ( 0 )
 Publication date 2011
and research's language is العربية
 Created by Shamra Editor




Ask ChatGPT about the research

In this paper we present the preparation of PbS nanocrystalline thin films using Chemical Bath Deposition (CBD) technique. We have performed this work in order to study the photoconductivity of PbS semi-conductor thin films. The details of the preparation method are described. Thickness of deposited films has been determined using mechanical and optical methods. From the optical absorption measurements we have determined the band gap values. Using the first approximation parabolic bands model and the obtained values of band gaps, we have determined the size of PbS nanocrystallites. Also, we have investigated the electrical and photoelectrical behaviors of the PbS films. Our study shows that the size of PbS thin films nanocrystallites affects the photoconductive properties of the material. Furthermore, investigations show that there are two different sizes of grains located in two different layers, the first one, with grain’s size of about 25nm, concerns the part of PbS deposited directly on the glass substrate and the second layer, with grain’s size of about 70nm, concerns the PbS deposited on the first layer.


Artificial intelligence review:
Research summary
تتناول هذه الورقة البحثية إعداد وتوصيف الأغشية الرقيقة النانوية من كبريتيد الرصاص (PbS) باستخدام تقنية الترسيب الكيميائي في الحمام (CBD). الهدف من الدراسة هو تحليل الفوتوكوندوكتيفية للأغشية الرقيقة من أشباه الموصلات PbS. تم وصف تفاصيل طريقة التحضير، وتم تحديد سمك الأغشية المترسبة باستخدام الطرق الميكانيكية والبصرية. من خلال قياسات الامتصاص البصري، تم تحديد قيم فجوة الطاقة. باستخدام نموذج الحزم المكافئ في التقريب الأول، تم تحديد حجم البلورات النانوية من PbS. كما تم دراسة السلوك الكهربائي والفوتوإلكتروني للأغشية. أظهرت الدراسة أن حجم البلورات النانوية للأغشية الرقيقة يؤثر على الخصائص الفوتوكوندوكتيفية للمادة. بالإضافة إلى ذلك، أظهرت التحقيقات وجود حجمين مختلفين من الحبيبات في طبقتين مختلفتين: الطبقة الأولى بحجم حبيبات حوالي 25 نانومتر وهي الجزء المترسب مباشرة على الركيزة الزجاجية، والطبقة الثانية بحجم حبيبات حوالي 70 نانومتر وهي الجزء المترسب على الطبقة الأولى.
Critical review
دراسة نقدية: تقدم هذه الورقة البحثية مساهمة مهمة في فهم تأثير حجم البلورات النانوية على الخصائص الفوتوكوندوكتيفية لأغشية PbS الرقيقة. ومع ذلك، يمكن تحسين الورقة من خلال تقديم مزيد من التفاصيل حول الظروف التجريبية المستخدمة في الترسيب الكيميائي في الحمام (CBD)، مثل درجة الحرارة ومدة الترسيب. كما أن الدراسة تفتقر إلى مقارنة نتائجها مع نتائج دراسات سابقة في نفس المجال، مما قد يساعد في تعزيز مصداقية النتائج. بالإضافة إلى ذلك، يمكن أن تكون هناك حاجة إلى مزيد من التحليل النظري لدعم النتائج التجريبية وتفسيرها بشكل أعمق.
Questions related to the research
  1. ما هو الهدف الرئيسي من الدراسة؟

    الهدف الرئيسي من الدراسة هو تحليل الفوتوكوندوكتيفية للأغشية الرقيقة من أشباه الموصلات PbS.

  2. ما هي التقنية المستخدمة في تحضير الأغشية الرقيقة من PbS؟

    تم استخدام تقنية الترسيب الكيميائي في الحمام (CBD) لتحضير الأغشية الرقيقة من PbS.

  3. كيف يؤثر حجم البلورات النانوية على الخصائص الفوتوكوندوكتيفية للأغشية الرقيقة؟

    أظهرت الدراسة أن حجم البلورات النانوية للأغشية الرقيقة يؤثر على الخصائص الفوتوكوندوكتيفية للمادة، حيث أن حجم البلورات يؤثر على فجوة الطاقة والخصائص الكهربائية والفوتوإلكترونية.

  4. ما هي الأحجام المختلفة للحبيبات التي تم العثور عليها في الأغشية الرقيقة؟

    تم العثور على حجمين مختلفين من الحبيبات: الطبقة الأولى بحجم حبيبات حوالي 25 نانومتر وهي الجزء المترسب مباشرة على الركيزة الزجاجية، والطبقة الثانية بحجم حبيبات حوالي 70 نانومتر وهي الجزء المترسب على الطبقة الأولى.


References used
Blount G. H., Schreiber P. J., Smith D. K., and Yamada R. T. (1973). Variation of the properties of chemically deposited lead sulfide film with the use of an oxidant. J. Appl. Phys. 44, pp. 978-981
Espevik S., Wu C., and Bube R. H. (1971). Mechanism of Photoconductivity in Chemically Deposited Lead Sulfide Layers. J. Appl. Phys. 42, pp. 3513- 3529
Johnson T. H. (1984). Lead Salt Detectors and Arrays: PbS and PbSe. Proc . SPIE 443, pp. 60-94
rate research

Read More

There are wide uses of tin oxide thin films, especially in the field of transparent conductors, solar cells, gas sensors and piezoelectric materials. Laser deposition is considered one of the most important techniques followed to obtain these film s. In this research, we develop a technique to obtain homogeneous thin films of tin oxide depending on vaporization of pile targets of this oxide by continuous CO2 laser in the atmosphere, with a fan which guarantees obtaining homogenous films. Some of these films were annealed in different conditions. The optical microscope images revealed the presence of high degree of homogeneity, while the X-Ray study showed different crystallization grain orientations which depend on the preparation conditions. The preferred direction is (110). The optical absorption gives information about the value of the effective band gal for the samples before and after thermal annealing. We have found that some films have Eg = 3.2 ev. before annealing, and after long annealing they have Eg=1.3ev. In addition, the hard annealed thin films reveal anisotropy in the optical and electrical. Characteristics, they have different absorption coefficients in two perpendicular directions, also there is an electrical resistance anisotropy along these two directions especially after hard annealing. The Eb was 0.73 ev before annealing, it became 0.37 ev for one direction and 0.32 ev for the other direction.
Mn doped tin oxide transparent conducting thin films were deposited at a substrate temperature of 450°C by spray pyrolysis method. Structural properties of the films were investigated as a function of various Mn-doping levels (0, 1, 3, 5, 7 wt%) w hile all other deposition parameters such as substrate temperature, spray rate, carrier gas pressure and distance between spray nozzle to substrate were kept constant.
In this paper we present the structural, optical and electrical characteristics of ZnO thin films grown for different parameters by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass and silicon substrates at low temperatures. We used diethyl-zinc (DEZn) and deionized water as zinc and an oxygen sources, respectively. Measurements of surface morphology, photoluminescence at room temperature (RT PL) and Hall Effect were made for ZnO layers. The films obtained at 130°C show the highest carrier concentration (1.1×1019 cm-3) and the lowest resistivity (2.84×10-2 Wcm). The films exhibit mobility up to 19.98 cm2/Vs that we associate to the technological process used.
In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method on glass and silicon substrates at low temperature (100°C). Room temperatu re photoluminescence (RT PL) spectra, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), and Hall Effect measurements were made for as-grown ZnO layers. The annealing process was performed in air as well as in N2 atmosphere at 400°C for half an hour. The long annealing resulted in a larger reduction in electron concentration. Simultaneously, an evident increase in carrier's mobility was observed, which may suggest that annealing resulted in a decreased number of native defects in the ZnO layers. Also, it was observed that hydrogen atoms in ZnO samples did not dominate their electrical properties with the increase of electrons concentration.
comments
Fetching comments Fetching comments
Sign in to be able to follow your search criteria
mircosoft-partner

هل ترغب بارسال اشعارات عن اخر التحديثات في شمرا-اكاديميا