Do you want to publish a course? Click here

Studying X-ray Luminscence Spectra of thin films made of ZnO mixed with AL

دراسة أطياف التألق السيني لأفلام رقيقة مصنوعة من أكسيد التوتياء المشوب بعنصر الألمنيوم

1343   0   276   0 ( 0 )
 Publication date 2014
and research's language is العربية
 Created by Shamra Editor




Ask ChatGPT about the research

The work could be considered as a continuous study of (XRL) X – ray luminescence - spectra of pure, and mixed Zno different AL ions, In these films and other crystals powders prepared by new developed te chnology. We studied the pure and ZnO thin films. mixed with an AL - ions in the fielol (200-700)nm ,at different weig hrs (5,10,15,20)wt% prepared by thermal evaporation. This way is cheep and a simple technology. Our study showed different spectra peaks at the wavelengths(335,410,521)nm anol (t=20ns)produced, at different peaks intensities of the prepared thin films, compared with those jure and mixeol ZnO ones, spray pyrolysis. Thin films technology, have many wide scientific application, in the medical field, Lazer technology, Luminscence counters, and at the solar cells fields


Artificial intelligence review:
Research summary
تتناول هذه الدراسة أطياف التألق السيني (XRL) لأفلام رقيقة من أكسيد التوتياء (ZnO) المشوب بشوارد الألمنيوم (Al) بتراكيز وزنية مختلفة (5%, 10%, 15%, 20%). تم تحضير الأفلام باستخدام تقنية البخ الحراري، وهي تقنية بسيطة وذات كلفة منخفضة. أظهرت الدراسة قمم طيفية تألقية عند الأطوال الموجية 335 نانومتر، 410 نانومتر، و521 نانومتر بزمن تألق قدره 20 نانوثانية. تم تحليل التغير في الشدات التألقية الناتجة عن اختلاف تراكيز الألمنيوم في الأفلام الرقيقة ومقارنتها بالفيلم النقي. تُستخدم الأفلام الرقيقة في تطبيقات علمية واسعة في المجال الطبي، خاصة في أجهزة الليزر والعدادات الومضانية والخلايا الشمسية. تهدف الدراسة إلى تحسين خصائص التألق لهذه الأفلام لاستخدامها في تطبيقات متقدمة.
Critical review
تُعد هذه الدراسة إضافة قيمة إلى مجال دراسة التألق السيني لأفلام أكسيد التوتياء المشوب بالألمنيوم. ومع ذلك، كان من الممكن أن تكون الدراسة أكثر شمولية إذا تم تضمين تحليل مقارن مع تقنيات تحضير أخرى مثل SoL-Gel أو CVD. كما أن الدراسة تفتقر إلى مناقشة مفصلة حول تأثير العوامل البيئية مثل الرطوبة ودرجة الحرارة على خصائص التألق. يُفضل أيضًا تضمين بيانات إضافية حول استقرار الأفلام على المدى الطويل لتقديم صورة أوضح حول إمكانية استخدامها في التطبيقات العملية.
Questions related to the research
  1. ما هي التقنية المستخدمة لتحضير الأفلام الرقيقة في هذه الدراسة؟

    تم استخدام تقنية البخ الحراري لتحضير الأفلام الرقيقة من أكسيد التوتياء المشوب بالألمنيوم.

  2. ما هي الأطوال الموجية التي أظهرت قمم طيفية تألقية في الدراسة؟

    أظهرت الدراسة قمم طيفية تألقية عند الأطوال الموجية 335 نانومتر، 410 نانومتر، و521 نانومتر.

  3. ما هو زمن التألق الذي تم الحصول عليه للأفلام الرقيقة في الدراسة؟

    تم الحصول على زمن تألق قدره 20 نانوثانية للأفلام الرقيقة.

  4. ما هي التطبيقات العلمية للأفلام الرقيقة من أكسيد التوتياء المشوب بالألمنيوم؟

    تُستخدم الأفلام الرقيقة في تطبيقات علمية واسعة في المجال الطبي، خاصة في أجهزة الليزر والعدادات الومضانية والخلايا الشمسية.


References used
TSUKAZAKI, A., OGTOMO,A.,ONUMA,T., OGTANI,M., MAKINO,T. SUMIYA, M.et at. "Repeated temperature modulation expitaxy for p- type doping and lightemitting diode based on ZnO". Nat. Mater.1, 2005,24-46
HSIEH,P.T,. CHEN, Y,C,. KAO, K,S,. LEE,M,S,.CHENG,C,C,."The ultraviolet emission mechanism of ZnO thin film fabricated by soL – gel technology". Journal of the European Ceramic Society., 27,2007,3815-3818
LIPING,D., HONG, D., GENG, Ch., JINJU,Ch,. "Ultraviolet emission properties of ZnO film with zinc deficiency by SS CVD". Applied Surface Science. 254, 2008,1599-1603
CAI,J,H.,NI,G.,HE,G.,WU,Z.Y,. "Red luminescence in ZnO film prepared by a glycol – based Pechini method". Physics Letters. ,A372, 2008,4104-4108
LE- XI SHAO, JUN ZHANG. "Asimple preparation Technipue of ZnO thin film with high Crystallinity and UV Luminescence intensity". Journal of Physics and chemistry of Solids. 69,2008, 531-534
rate research

Read More

A study of surface chemical composition has been performed by using Auger Electron Spectroscopy (AES) for ZnO layers grown by Atomic Layer Deposition (ALD) procedure.Elements on surface of materials were identified,and, an atomic concentration of ele ments on surface was determinate. Onlysmall amount of carbon or carbon compounds detected, easily removed by argon ion sputtering. Also, long argon ion sputtering partly depleted surface of oxygen.
Mn doped tin oxide transparent conducting thin films were deposited at a substrate temperature of 450°C by spray pyrolysis method. Structural properties of the films were investigated as a function of various Mn-doping levels (0, 1, 3, 5, 7 wt%) w hile all other deposition parameters such as substrate temperature, spray rate, carrier gas pressure and distance between spray nozzle to substrate were kept constant.
In this paper we present the structural, optical and electrical characteristics of ZnO thin films grown for different parameters by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass and silicon substrates at low temperatures. We used diethyl-zinc (DEZn) and deionized water as zinc and an oxygen sources, respectively. Measurements of surface morphology, photoluminescence at room temperature (RT PL) and Hall Effect were made for ZnO layers. The films obtained at 130°C show the highest carrier concentration (1.1×1019 cm-3) and the lowest resistivity (2.84×10-2 Wcm). The films exhibit mobility up to 19.98 cm2/Vs that we associate to the technological process used.
Thin films of ZnO were successfully prepared on glass substrates with different thicknesses by sol-gel method by using zinc acetate dehydrate as precursor. The surface of thin films morphology from were studied by AFM micrographs, the structural prop erties of the obtained ZnO thin film are studied using X-ray diffraction spectra and their elemental analysis by X-ray energy dispersion spectroscopy (EDX). Moreover, optical properties and emission of ZnO nano thin film were evaluate during ultraviolet-visible-infrared and photoluminescence spectra. The AFM investigations have revealed that the morphology of the films is smooth and homogeneous specially for the high thickness and the grains produced on the surface take the form of nano rods with an average diameter of 240nm. Structural analysis by X-ray diffraction showed that the deposited films have a preferred orientation along the direction (112) and are relatively uniform with average crystal size 19nm, while the EDX spectrum showed that the elemental composition of these films is zinc oxide. The spectrophotometer Ultraviolet -Visible confirms that it is possible to get good transparent ZnO films with a transmission of 77 to 92% in the infrared. The values of optical gaps Eg vary between 3.273 - 3.256 eV. The peak of photoluminescence exhibited a visible emission peak at 616nm that refers to possibility of using thin films as an effective medium of random laser.
In this work, multi-layer thin films (insulator - metal - insulator) were prepared on glass substrates. Where we deposited the following order of (zinc oxide - silver - zinc oxide) by magnetron sputtering of zinc oxide and vacuum thermal evaporation technique for silver.
comments
Fetching comments Fetching comments
Sign in to be able to follow your search criteria
mircosoft-partner

هل ترغب بارسال اشعارات عن اخر التحديثات في شمرا-اكاديميا