أجريت دراسة التركيب الكيميائي السطحي بواسطة مطيافية إلكترون أوجيه (AES) لطبقات من أكسيد الزنك المنماة بطريقة الترسيب الذري الطبقي. و قد تم تحديد العناصر المتوافرة على سطوح المواد، و تعيين التركيز الذري للعناصر على السطوح. لوحظت كمية صغيرة فقط من الكربون أو من مركبات الكربون، تم إزالتها بسهولة من خلال قذفها بايونات الأرغون. كما تبين أيضا أن قذف سطح العينة بايونات الأرغون لمدة طويلة يستنفذ الأكسجين منه جزئيا.
A study of surface chemical composition has been performed by using Auger Electron Spectroscopy (AES) for ZnO layers grown by Atomic Layer Deposition (ALD) procedure.Elements on surface of materials were identified,and, an atomic concentration of elements on surface was determinate. Onlysmall amount of carbon or carbon compounds detected, easily removed by argon ion sputtering. Also, long argon ion sputtering partly depleted surface of oxygen.
Artificial intelligence review:
Research summary
تتناول هذه الدراسة تحليل التركيب الكيميائي السطحي لأفلام أكسيد الزنك (ZnO) باستخدام مطيافية إلكترون أوجيه (AES). تم تنمية هذه الأفلام بطريقة الترسيب الذري الطبقي (ALD). حددت الدراسة العناصر الموجودة على سطح المواد، وتم تعيين التركيز الذري للعناصر على السطوح. لوحظت كميات صغيرة من الكربون أو مركباته، والتي أزيلت بسهولة عن طريق قذفها بأيونات الأرغون. كما تبين أن قذف سطح العينة بأيونات الأرغون لفترة طويلة يؤدي إلى استنزاف جزئي للأكسجين من السطح. تهدف الدراسة إلى تحسين أداء أكسيد الزنك كإلكترود شفاف وناقل في التطبيقات الإلكترونية مثل الخلايا الشمسية والديودات العضوية. تم استخدام تقنيات متقدمة لتحليل الأطياف وتحديد التركيب الكيميائي بدقة عالية، مما يوفر معلومات قيمة حول بنية البلورات وخصائصها السطحية.
Critical review
دراسة نقدية: تعتبر هذه الدراسة مهمة في مجال تحسين أداء أكسيد الزنك في التطبيقات الإلكترونية، ولكن هناك بعض النقاط التي يمكن تحسينها. أولاً، لم يتم التطرق بشكل كافٍ إلى تأثير العوامل البيئية الأخرى مثل الرطوبة ودرجة الحرارة على التركيب الكيميائي السطحي. ثانياً، كان من الممكن توسيع نطاق الدراسة ليشمل أنواعاً أخرى من الترسيب الذري الطبقي لتحليل تأثيرها على الخصائص السطحية. وأخيراً، كان من الأفضل تضمين تجارب إضافية للتحقق من استقرار الأفلام على المدى الطويل.
Questions related to the research
-
ما هي التقنية المستخدمة في تحليل التركيب الكيميائي السطحي لأفلام أكسيد الزنك؟
تم استخدام مطيافية إلكترون أوجيه (AES) لتحليل التركيب الكيميائي السطحي لأفلام أكسيد الزنك.
-
ما هي الطريقة المستخدمة لتنمية أفلام أكسيد الزنك في هذه الدراسة؟
تم تنمية أفلام أكسيد الزنك باستخدام طريقة الترسيب الذري الطبقي (ALD).
-
ما هو تأثير قذف سطح العينة بأيونات الأرغون لفترة طويلة؟
قذف سطح العينة بأيونات الأرغون لفترة طويلة يؤدي إلى استنزاف جزئي للأكسجين من السطح.
-
ما هي التطبيقات المحتملة لأفلام أكسيد الزنك المدروسة في هذه الورقة؟
يمكن استخدام أفلام أكسيد الزنك كإلكترودات شفافة وناقلة في التطبيقات الإلكترونية مثل الخلايا الشمسية والديودات العضوية.
References used
(Janotti Anderson and Van de Walle Chris G. Fundamentals of zinc oxide as a Semiconductor. Rep. Prog. Phys. 72, 2009, 126501 (1-29
(A. R. Chourasia and D. R. Chopra. Handbook of Instrumental Techniques for Analytical Chemistry, Auger Electron Spectroscopy. Texas A&M University–Commerce, 1995, (791–808
(McGuire, E. G. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, Plenum press, New York, 1979, (404-405
The work could be considered as a continuous study of (XRL) X – ray luminescence - spectra of pure, and mixed Zno different AL ions, In these films and other crystals powders prepared by new developed te chnology.
We studied the pure and ZnO thin
In the present paper, we discuss the influence of point defects on electrical and
optical characteristics of ZnO thin films grown by the atomic layer deposition (ALD)
method on glass and silicon substrates at low temperature (100°C). Room temperatu
In this paper we present the structural, optical and electrical characteristics of ZnO thin films grown for different parameters by the atomic layer deposition (ALD) method. The films were grown on glass and silicon substrates at low temperatures. We
Thin films of ZnO were successfully prepared on glass substrates with different thicknesses by sol-gel method by using zinc acetate dehydrate as precursor. The surface of thin films morphology from were studied by AFM micrographs, the structural prop
In this work, multi-layer thin films (insulator - metal - insulator) were prepared on glass substrates. Where we deposited the following order of (zinc oxide - silver - zinc oxide) by magnetron sputtering of zinc oxide and vacuum thermal evaporation technique for silver.