تصميم دارة حساس BICS لمراقبة التيار IDDQ ضمن دارات CMOS

تستخدم تقنيات اختبار التيار IDDQ لكشف الأعطال الفيزيائية التي تحدث أثناء عمليات التصنيع في دارات ال CMOS المدمجة مثل وجود دارة قصر بين نقطتين معدنيتين Bridging أو وجود بعض العيوب في طبقة الاوكسيد لاحد الترانزستورات في الدارة سواء كان قصر في طبقة الاوكسيد او فتح في طبقة الاوكسيد هذه العيوب لا يمكن كشفها بتقنيات الاختبار المنطقية التقليدية. و تيار ال IDDQ هو التيار الساكن المتدفق من منبع التغذية VDD في دارات ال CMOS.

IDDQ testing techniques are used to detect the physical defects such gate oxide shorts,floating gates and bridging faults, and which happen for the presence of manufacturing faults during the manufacturing processes of CMOS integrated circuits, which cannot be detected by classical logical testing.