تستخدم تقنيات اختبار التيار IDDQ لكشف الأعطال الفيزيائية التي تحدث أثناء عمليات التصنيع في دارات ال CMOS المدمجة مثل وجود دارة قصر بين نقطتين معدنيتين Bridging أو وجود بعض العيوب في طبقة الاوكسيد لاحد الترانزستورات في الدارة سواء كان قصر في طبقة الاو
كسيد او فتح في طبقة الاوكسيد هذه العيوب لا يمكن كشفها بتقنيات الاختبار المنطقية التقليدية. و تيار ال IDDQ هو التيار الساكن المتدفق من منبع التغذية VDD في دارات ال CMOS.
