نشر في جامعة دمشق
بتاريخ 2004
في مجال فيزياء
والبحث باللغة
العربية
تحميل البحث
الملخص بالعربية
قمنا ببناء منظومات قياس المميزات الكهربائية المباشرة (V(I و السعوية (V(C لثنائيـات شـوتكي،
و بوضع المنهجيات اللازمة لتحديد الوسطاء الكهربائية منها و هي تركيز الشوائب في ركيـزة الـسيليكون
و تيار التسريب و ارتفاع حاجز شوتكي. من ثم، قمنا بتطبيق ذلك في دراسة ثنائي شوتكي تجاري يستخدم
بوصفه كاشفاً للجسيمات ألفا، الذي يعرف بالكاشف ذي الحاجز السطحي، و كانت النتـائج التـي حـصلنا
عليها متوافقة مع القيم المتوقعة.
المراجع المستخدمة
Okumura, T. and K. N Tu, Appl, J. “Analysis of parallel Schottky contacts by differential internal photoemission spectroscopy”, Phys. 54 (2). 1983
Schroder,D.K.1990. "Semiconductor material and device characterization"
Andre Vapaille et Rene Castagne, 1987. Dispositifs et circuits integres semiconducteurs