دراسة و حساب عمق المجال النشط ضوئياً لأغلفة عاكسة للضوء أساسها مساحيق أكسيد الزنك


الملخص بالعربية

نعرض في هذا البحث نتائج دراسة و حساب عمق المجال النشط ضوئياً لغلاف عاكس لضوء بطريقة الانتثار تبعاً لتشتتية أو انتثارية حبيبات الصبغة المستعملة في الغلاف و لطول موجة الإشعاع الكهرطيسي الوارد عليه حيث تغيرت أبعاد حبيبات مسحوق أكسيد الزنك ضمن المجال من حتى . يدخل في تركيب الغلاف العاكس للضوء مسحوق أكسيد الزنك ZnO و طبقة عضوية تكون بمثابة غشاء رابط. كما تم حساب أعماق المجال النشط ضوئياً للغلاف العاكس للضوء بطريقة الانتثار عند تغير معامل امتصاص الصبغة الداخلة في تركيب الغلاف (ZnO / رابط) ضمن المجال من إلى أكثر من . إن النتائج التي حصلنا عليها في هذا البحث تسمح لنا بتحسين سماكة الأغلفة العاكسة للضوء بطريقة الانتثار لدى تحضير أنواع محددة منها.

المراجع المستخدمة

RODNYI P. and KHODYUK I., Optical and luminescence properties of zinc oxide, Optics and Spectroscopy, Vol. 111, № 5, 2011, 667-785
TAKAHASHI, K.; YOSHIKAWA, A.; SANDHU, A., Wide band-gap semiconductors: fundamental properties and modern photonic and electronic devices, Springer, 2007, 357
GREENWOOD, N.; EARNSHAW, A., Chemistry of the Elements, Butterworth- Heinemann, ISBN, 1997, 0-08-037941-9

تحميل البحث