Pressure-induced metal-insulator transition in MgV_2O_4
نشر في Victor Pardo
بتاريخ 2007
في مجال فيزياء
والبحث باللغة
English
تحميل البحث
الملخص بالإنكليزية
On the basis of experimental thermoelectric power results and ab initio calculations, we propose that a metal-insulator transition takes place at high pressure (approximately 6 GPa) in MgV_2O_4.