حُضر المركب CaMnO3 انطلاقاً من المواد البادئة بطريقة
الاصطناع Solid state reaction الصلب حددت درجة حرارة الاصطناع
عند الدرجة 1100°C . تم التأكد من المركب المحضر باستخدام تقانة انعراج
الأشعة السينية (XRD) حيث بينت النتائج أن المركب يتبلور وفق النمط المعيني القائم
Orthorhombic.
CaMnO3 was synthesized by a Solid State method. MnO2 and
CaO were used as precursors. The temperature of synthesis was
1100°C. X-ray diffraction analysis (XRD) revealed that the
CaMnO3 was synthesized. XRD results showed that the prepared
compound was polycrystalline and had orothohombic structure.
المراجع المستخدمة
ALFARUQ–D,2012-"Thermoelectric properties of CaMnO3 films obtained by soft". Duebendorf, Switzerland
OTAL-E,ALFARUQ–D,2013-"High-temperature thermoelectric properties of W-substituted CaMnO3". Duebendorf, Switzerland
CYRIL-C.K, CHIANG, KENNETH-POEPPELMEIER- R, 1991-" Structural investigation of oxygen-deficient perovskite CaMnO2.75 ".North Holand
نظرا للأهمية الكبيرة لتيتانات السترونسيوم في الصناعات التكنولوجية الحديثة
و الأجهزة البصرية و الخلايا الشمسية وغيرها من الاستخدامات ، قمنا في هذا البحث
بتقديم طريقة مبسطة و عالية الفعالية و هي طريقة الاصطناع الصلب من أجل دراسة
و تحضير تيتانات الست
تم اصطناع المركب CuCr2O4 بطريقة الترسيب المشترك و حددت درجة حرارة الاصطناع عند 650°C بعد التأكد من اتمام الاصطناع بطريقة انعراج الأشعة السينية.
نقدم في هذه الورقة الخصائص البنيوية و الضوئية و الكهربائية لأفلام رقيقة من أكسيد الزنك تمت تنميتها من أجل بارامترات مختلفة بوساطة طريقة الترسيب الذري الطبقي (ALD). و قد نميت هذه الأفلام على ركائز من الزجاج و السيلكون عند درجات حرارة منخفضة. استخدمنا
يهدف بحثنا هذا إلى تحضير المركب بطريقة الترسيب المشترك في المحاليل
المائية و ذلك انطلاقاً من المواد الأولية ، و من ثم دراسة بنيتها و خصائصها. بعد الانتهاء
من عملية التحضير قسمنا الراسب الناتج إلى قسمين و أضفنا إلى أحدهما الماء الأكسجيني، ثم قمنا بت
رُسبت أفلام رقيقة ناقلة شفافة (TCOs) من أكسيد القصدير المُشاب بالمنغنيز عند درجة
حرارة ركيزة 450° C بطريقة البخ الحراري. تمت مُناقشة الخصائص البنيوية للأفلام بتابعية
سوية الإشابة لممنغنيز (0, 1 , 3 , 5 ,7 wt%) بينما جميع متغيرات الترسيب مثل: درج