دراسة السلوك الساكن و الحركي لثنائيات شوتكي و لثنائيات شوتكي ذات المتصل المصنوعة من كربيد السيلكون عند درجات الحرارة العالية
نشر في جامعة البعث
بتاريخ 2018
في مجال هندسة الطاقة الكهربائية
والبحث باللغة
العربية
تحميل البحث
الملخص بالعربية
في هذا البحث قمنا بدراسة السلوك الساكن و الحركي لثنائيات شوتكي و لثنائيات
شوتكي ذات المتصل المصنوعة من كربيد السيلكون. الهدف من هذه الدراسة هو في
أداء و مميزات هذه العناصر في حالات العمل المتعددة و في شروط درجات الحرارة
المرتفعة، بالإضافة إلى توضيح التمايز بين هذين النوعين من الثنائيات.
المراجع المستخدمة
J.L. Hudgins; G.S. Simin; E. Santi, M.A. Khan, "An assessment of wide bandgap semiconductors for power devices," Power Electronics, IEEE Transactions on, vol.18, no.3, pp. 907-914, May 2003
C.E. Weitzel et al, "Silicon carbide high-power devices," Electron Devices, IEEE Transactions on , vol.43, no.10, pp.1732-1741, Oct 1996
L. Lorenz, "Power Semiconductor Devices-Development Trends and System Interactions", Power Conversion Conference - Nagoya, 2007, pp.348-354